在半导体制造中，晶圆切割是决定芯片良率的关键一步。面对切割道检测中的重重挑战，如何实现精准定位与高效检测？本文将深入解析高低双倍率视觉系统的创新解决方案，助您攻克技术难点，切实提升生产效能。

Wafer dicing（晶圆切割）是半导体制造流程中的一个关键步骤，指的是将一个完成芯片制造的整片晶圆（wafer）切割成一个个单独的芯片（die）的过程。这一步通常是在晶圆上的所有电路图形都制作完成、并且通过了测试之后进行。切割方法以自动化执行来保证精度与准确性，切割后的单个裸晶用于后续工序，最后构建在电子设备中。

首先，标准半导体制造采用“减薄后切割”方法。晶圆在切割前会被称为背面研磨（back side grinding）的工艺打薄到几十μm的厚度，贴在专用的Dicing Tape上并固定在切割环（Frame）上从而降低了在后续的过程中的机械应力导致晶圆破裂的风险。在切割后使用自动pick-and-place系统将die拾取封装,安装在各种电子设备中发挥它的作用。

1.防水雾与飞溅：切割过程中有高压去离子水冷却与微粒飞溅，伴随雾化液滴极易污染镜头与光源，要求从结构上光源与镜头具备防护设计；

2. 结构紧凑：刀头周边空间紧凑，需在刀头、吸嘴、吹气嘴间集成视觉模块；

3. 镜头成像一致性高：定位精度需达到微米级，倍率切换，单支镜头与批量多支镜头差异不能影响图像测量精度；

4. 低角度分区照明环光：切割道往往反差不明显，需强化边缘对比且避免反光干扰。

使用 REL07519C/REL7519C 镜头搭配 RELW40 环形光源，可在 Dicing 应用中有效应对关键成像挑战，优势如下：

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